广州超声波清洗设备厂家
炉前（RCA）清洗:扩散前清洗。光刻后清洗:除去光刻胶。氧化前自动清洗:氧化前去掉硅片表面的沾污物。抛光后自动清洗:除去切、磨、抛的沾污。外延前清洗:除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。合金前、表面钝化前清洗:除去铝布线后，表面杂质及光胶残渣。离子注入后的清洗:除去光刻胶，SiO2层。扩散预淀积后清洗:除去预淀积时的BSG和PSG。CVD后清洗:除去CVD过程中的颗粒。附件及工具的清洗:除去表面的沾污物。可用于完成扩散前、光刻后、CMP后及氧化前等工艺的清洗工作。例如:RCA清洗、SPM清洗、SC清洗、金属离子及杂物去除清洗等。全自动硅片清洗机手动硅片清洗机附件及工具清洗设备有机化学超净工作台硅片清洗设备特点手动硅片清洗设备特点:可根据不同的清洗工艺配置各种相应的清洗功能槽。功能槽包括:加热酸缸、HF腐蚀、BHF（HF恒温缓冲腐蚀）、超声清洗槽、恒温水浴、QDR（快排冲水）、电炉等。
广州超声波清洗设备厂家
半水基清洗采用的清洗流程如下:半水基清洗剂（超声波）-市水漂洗-水基清洗剂-市水漂洗-纯水漂洗-IPA脱水-IPA慢拉干燥此种清洗工艺同溶剂清洗相比大的区别在于，其前两个清洗单元:有机溶剂清洗只对沥青或漆片具有良好的清洗效果，但却无法清洗研磨粉等无机物；半水基清洗剂则不同，不但可以清洗沥青等有机污染物，还对研磨粉等无机物有良好的清洗效果，从而大大减轻了后续清洗单元中水基清洗剂的清洗压力。半水基清洗剂的特点是挥发速度很慢，气味小。采用半水基清洗剂清洗的设备在个清洗单元中无需密封冷凝和蒸馏回收装置。但由于半水基清洗剂粘度较大，并且对后续工序使用的水基清洗剂有乳化作用，所以第二个单元须市水漂洗，并且好将其设为流水漂洗。国内应用此种工艺的企业不多，其中一个原因是半水基清洗剂多为，价格比较昂贵。从水基清洗单元开始，半水基清洗工艺同溶剂清洗工艺基本相同。
超声波清洗机利用超声波的物理清洗作用，加上清洗介质的化学作用，再经过优化选择超声波频段及功率密度，可以实现对各种零部件内外油污、积碳、胶质等污物的彻底清洗。因此，我们要加大对超声波清洗机的使用和注意事项的重视，保证超声波清洗机的使用安全和延长超声波清洗机的使用寿命。
广州超声波清洗设备厂家
酸洗→排液→注纯水→溢流→注水→水洗→排液石英管清洗机特点采用浸泡、旋转式清洗；酸清洗为滚动浸泡式；水清洗为溢流式。采用多点支撑式工件旋转驱动装置，稳定、。操作符合人机工程原理，具有良好的操作界面，使用方便、灵活。可配置自动氮气鼓泡系统，有效提高产品质量，缩短清洗时间。结构紧凑，净化占地面积小，造型美观、实用。关键件采用件，提高了设备的性。采用耐腐蚀PP板材，防酸、防腐，有效避免酸雾的侵蚀。封闭式清洗，有效改善工作环境，保障操作人员。控制系统同时具备完善防腐、防潮功能，确保的工作环境化学湿台适用于半导体行业中基片的制造、集成电路芯片的制造等清洗工艺过程。适用于2"～6"基片的半导体清洗过程中，去除工件表面的油污及其它有机物、除胶、去金属离子等。可根据不同清洗工艺配置相应的清洗单元。各部分有独立的控制单元，可随意组合；配有在线方式的去离子水加热系统。结构紧凑，净化占地面积小，造型美观、实用，操作符合人机工程原理。可根据客户工艺定制。